삼성전자, 3차원 수직 낸드플래시 세계 첫 양산

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삼성전자가 세계 최초로 3차원 메모리 반도체 시대를 열었다. 삼성전자는 반도체 미세화 기술의 한계를 극복한 신개념의 3차원 수직구조 낸드(V NAND) 플래시 메모리(사진)의 양산을 시작했다고 6일 밝혔다. 이번 3차원 수직구조 낸드 플래시 메모리는 업계 최대 용량인 128기가비트(Gb) 제품이다.

삼성전자 관계자는 “3차원 원통형 셀구조와 3차원 수직적층 공정 기술이 동시 적용된 이 제품은 기존 20나노급 대비 집적도가 2배 이상 높아 생산성이 대폭 향상됐다”고 말했다.

삼성전자에 따르면 지금까지 양산된 낸드 플래시 메모리는 게이트에 전하를 저장하는 방식으로, 약 40년 전 개발된 플로팅 게이트 평면 구조가 적용된 것이다. 하지만 최근 10나노급 공정 도입으로 셀 간 간격이 대폭 좁아져 전자가 누설되는 간섭 현상이 심화되는 등 평면에서의 미세화 집적 기술은 물리적 한계에 봉착했다. 이에 삼성전자는 단층으로 배열된 셀을 3차원 수직으로 적층하는 구조 혁신과 공정 혁신을 통해 지금까지의 모든 문제점을 한 번에 극복하고 반도체 업계 최초로 3차원 메모리 양산시대를 연 것이다.

최정혁 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장(전무)은 “10나노급 이하 반도체 기술의 한계를 뛰어 넘어 향후 1테라비트(Tb) 이상의 낸드 플래시 메모리를 출시할 수 있는 원천 기술을 확보했다”고 말했다.

유회경·노성열 기자 yoology@munhwa.com