美·日, 차세대 반도체 공동생산 맞손

오늘 외교·경제장관 2+2 회의
2025년까지 인프라 구축 논의

미국 상·하원이 반도체 생산연구에 약 520억 달러(약 67조5064억 원)를 투입하는 법안을 통과시켜 조 바이든 미국 대통령의 서명만 남겨둔 가운데, 미국과 일본이 양자컴퓨터 등에 사용하는 차세대 첨단반도체 양산을 위한 공동 연구를 시작한다. 일본은 연내 자국에 공동연구개발 거점을 건설하고 시범 제조 설비를 갖출 예정이다. 특히 일본은 2025년까지 차세대 반도체의 대량 생산이 가능한 인프라 구축을 목표로 하고 있다.

니혼게이자이(日本經濟)신문은 29일 개최되는 미·일 외교·경제 각료회의인 ‘경제판 2+2’에서 이 같은 내용이 합의될 예정이라고 보도했다. 신문은 “하기우다 고이치(萩生田光一) 경제산업상이 지난 5월 지나 러몬도 미국 상무장관과 체결한 반도체 제휴 협력, 미·일 정상회담에서 합의된 내용이 이번에 구체적으로 논의될 것”이라면서 이같이 전했다. 특히 미·일 양국은 2나노미터(㎚·1㎚는 10억 분의 1) 차세대 반도체 공정을 공동 개발 목표로 삼고 있다. 반도체 파운드리(위탁생산) 분야 세계 1위는 대만 TSMC로, TSMC는 올 연말 3나노 제품을 양산한 뒤 오는 2025년에는 2나노 제품 생산을 목표로 하고 있다.

일본은 올 연말까지 새로운 연구기관인 ‘차세대 반도체 제조기술개발센터(가칭)’도 출범시킨다. 일본 최고 국책연구기관인 산업기술종합연구소나 이화학연구소 등과 협력해 차세대 반도체 제조 거점을 확립하는 계획으로, 미국 국립반도체기술센터(NSTC)의 인재와 기술도 활용할 예정이다.

이를 위해 일본은 향후 10년 동안 1조 엔(약 9조6000억 원)의 연구개발비를 확보할 예정이다. 또 미·일 양국은 미국이 추진하는 ‘칩4 동맹’에 포함되는 한국과 대만 정부 연구기관 및 민간기업에도 협력을 요청할 계획이다.

김선영 기자 sun2@munhwa.com